Investor Relations Kontakte

AIXTRON-Innovationszentrum von NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur eröffnet

Herzogenrath, 13. Dezember 2024 – NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur hat das neue Innovationszentrum von AIXTRON SE (FSE: AIXA) am Firmensitz in Herzogenrath eröffnet. Bei dem offiziellen Termin an diesem Donnerstag zeigten AIXTRON CEO Dr. Felix Grawert und CFO Dr. Christian Danninger der Ministerin den neuen Forschungs- und Entwicklungskomplex mit 1.000 m² Reinraumfläche. Er bildet die Grundlage für den Übergang zur 300-mm-Wafer-Technologie in der Verbindungshalbleiterindustrie.

„Das neue Innovationszentrum von AIXTRON ist ein beeindruckendes Beispiel für die Innovationskraft und Zukunftsfähigkeit der Halbleiterindustrie in Nordrhein-Westfalen. Der Start der 300-mm-Wafer-Technologie ist ein Meilenstein für die Energieeffizienz und Wettbewerbsfähigkeit unserer Region. Unsere globale Wettbewerbsfähigkeit profitiert enorm von einer robusten heimischen Halbleiterproduktion, denn Halbleiter machen die Transformation hin zur Klimaneutralität erst möglich: Ohne sie läuft kein Computer, fährt kein Auto, können weder Wind- noch Solaranlagen Energie produzieren.“ sagte Mona Neubaur, Ministerin für Wirtschaft, Industrie, Klimaschutz und Energie und stellvertretende Ministerpräsidentin des Landes Nordrhein-Westfalen.

Der Veranstaltung wohnten Vertreter von Politik, der Stadt Herzogenrath, der Industrie- und Handelskammer Aachen sowie Medienvertreter bei. Die Ministerin besuchte AIXTRON im Rahmen einer Innovationstour in Nordrhein-Westfalen.

„Mit dem neuen 300-mm-Anlagen tauglichen Reinraum im Innovationszentrum werden wir unsere technologische Marktführerschaft weiter ausbauen“, sagte Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender und CEO der AIXTRON SE. „Wir verfügen bereits über erste 300-mm-GaN-Prototypenanlagen, die auch schon bei mehreren Kunden in Pilotlinien integriert sind. Und genau hier zeigt sich die Innovationskraft und DNA von AIXTRON. Seit Jahrzehnten arbeiten wir an technologischen Lösungen, ohne dass der Markt seine Anforderungen schon konkret definiert hätte. Damit sind wir in der Lage, unseren Kunden frühzeitig bei ihren Produktentwicklungen zu helfen und innovative Technologien genau zu dem Zeitpunkt marktreif anzubieten, an dem erstmals eine Nachfrage entsteht.“

Spatenstich und Baubeginn des hochmodernen Komplexes, in den AIXTRON aus eigener Kraft rund 100 Millionen Euro investiert, war im November 2023. Das High-Tech-Gebäude ist ausgelegt auf den nächsten großen Schritt in der Verbindungshalbleitertechnik: den wichtigen Übergang auf 300-mm-Wafer für GalliumNitrid (GaN) und weitere Verbindungshalbleiteranwendungen. Das Materialsystem GaN, in dem AIXTRON Technologieführer ist, kommt aufgrund der überragenden Materialeigenschaften in immer mehr Leistungselektronik zum Einsatz. GaN-basierte Halbleiterbauelemente steigern die Leistungsfähigkeit von Ladegeräten in der Unterhaltungselektronik, ermöglichen eine effiziente Stromwandlung im Bereich erneuerbarer Energie und eine energiesparende Stromversorgung von Servern und Rechenzentren. Dies hilft beispielsweise auch bei den Anwendungen für die künstliche Intelligenz, die sich gerade rasant verbreiten, denn diese benötigen sehr viel Energie.

Um sich auf diese Nachfrage vorzubereiten, treibt AIXTRON die Entwicklung der 300-mm-Depositionstechnologie voran. Der größere Waferdurchmesser bietet Kunden einen Flächenvorteil von Faktor 2,25 gegenüber den aktuell verwendeten 200-mm-Wafern. Darüber hinaus können die Kunden ihre bestehenden 300-mm-Fabriken und Anlagen erstmals für die Herstellung von Verbindungshalbleitern benutzen. Dadurch wird die Herstellung von GaN-Halbleiterbauelementen nicht nur kostengünstiger, sondern bietet perspektivisch auch Möglichkeiten für technologische Leistungssteigerungen.

„Mit der 300-mm-Wafertechnologie bringen wir zum ersten Mal Verbindungshalbleiter in den Mainstream der Halbleiterherstellung. Das Innovationszentrum ist ein wichtiges Element unserer Strategie, da es den Platz und die technischen Voraussetzungen für Technologien der nächsten Generation bietet. Der Schritt hin zu 300 mm bei Verbindungshalbleitern ist ein Meilenstein, der in den kommenden Jahren zahlreiche Wachstumsmöglichkeiten für die Branche eröffnen wird“, erklärt Professor Dr. Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies bei AIXTRON.

Ansprechpartner

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.

AIXTRON liefert robustes Q3 trotz schwachem Marktumfeld

Moderate Nachfrage bei SiC- und GaN-Power / Umsatzerlöse in etwa auf Vorjahresniveau / Auftragseingang in Q3 deutlich über Vorjahr / Technologischer Fortschritt bei GaN und SiC Anlagen / Erste Anlage im neuen Innovationszentrum / Prognose 2024 bestätigt

Herzogenrath, 31. Oktober 2024 – AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) hat in den ersten neun Monaten des Jahres ein robustes Umsatzniveau im Vergleich zum Vorjahr erreicht und sich damit in einem schwachen Marktumfeld stark behauptet. Das Unternehmen kam auf Umsatzerlöse in Höhe von EUR 406,4 Mio. (9M/2023: EUR 415,7 Mio.). Im dritten Quartal 2024 lagen die Umsatzerlöse bei EUR 156,3 Mio. (Q3/2023: EUR 165,0 Mio.), und damit in der unteren Hälfte der Prognose für das Quartal von EUR 150,0 Mio. bis EUR 180,0 Mio., da die Auslieferung eines Großprojekts auf Wunsch des Kunden von Q3 auf Q4/2024 verschoben wurde. 
 

Auftragseingang und Auftragsbestand über Vorjahr

Die aktuelle Dynamik bei der Nachfrage nach Anlagen für die effiziente Leistungselektronik auf Basis von Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) setzt sich weiter fort. Damit lag der Auftragseingang im dritten Quartal 2024 bei EUR 143,5 Mio. und mit 21% deutlich über dem Vorjahresquartal (Q3/2023: EUR 118,5 Mio.). Der Auftragseingang der ersten neun Monate 2024 liegt mit EUR 439,5 Mio. leicht über dem Niveau des Vorjahres (9M/2023: EUR 436,2 Mio.). Der Anlagenauftragsbestand zum 30. September stieg im Vergleich zum Vorjahr deutlich auf EUR 384,5 Mio. (30. September 2023: EUR 368,0 Mio.; 30. Juni 2024: EUR 400,6 Mio.).
 

Technologischer Fortschritt bei SiC

Signifikante Verbesserungen an der 200mm G10-SiC Anlage wurden auf der International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) in Raleigh, im US-Bundesstaat North Carolina  vorgestellt: mit einer weiteren Steigerung der Homogenitäten für Schichtdicke und Dotierung über dem ganzen Wafer erreicht die G10-SiC nun die Spitzenposition im Markt. Gleichzeitig erzielt sie die niedrigsten Kosten pro Wafer aufgrund der hohen Produktivität des Multi-Wafer Tools. Dies führt zu anhaltendem Interesse der Kunden an AIXTRON SiC-Technologie und Roadmap.
 

Nächste Anlagengeneration: 300mm GaN

Im Bereich GaN kündigt sich bereits der nächste große Trend an – die Einführung von 300mm-Wafer-Technologie.

„Das Potenzial GaN-basierter effizienter Leistungselektronik ist aufgrund der energieintensiven künstlichen Intelligenz und anderer Anwendungen enorm. Auf Basis der erwarteten großen Volumina planen erste Kunden nun den Umstieg auf die nächste Wafergröße und nutzen dabei unsere ersten 300mm-GaN-Prototypenanlagen in ihren Entwicklungs- und Pilotlinien. AIXTRON kann dabei Erfahrungsschatz und Kernelemente der bewährten 200mm Technologie auf die nächste Produktgeneration übertragen", sagt Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender der AIXTRON SE.
 

Erste 300mm Anlage im neuen Innovationszentrum

Seit dem Herbst 2023 entsteht am Standort Herzogenrath AIXTRONs neues Innovationszentrum für 300mm Technologie. Dort werden gerade rund EUR 100 Mio. in einen hochmodernen Entwicklungs- und Forschungskomplex mit über 1000m² Reinraumfläche investiert, um künftig gemeinsam mit Kunden an den Anlagen der nächsten Generation zu arbeiten. Die erste AIXTRON-Anlage ist bereits kürzlich in den neuen Reinraum eingezogen. Offiziell eröffnet werden soll das Innovationszentrum zum Jahresende 2024.
 

Bruttoergebnis und Bruttomarge

AIXTRON erzielte in den ersten neun Monaten 2024 ein Bruttoergebnis in Höhe von EUR 160,0 Mio. (9M/2023: EUR 180,8 Mio.) mit einer Bruttomarge von 39% (9M/2023: 43%). Im dritten Quartal 2024 lagen Bruttoergebnis und Bruttomarge bei EUR 67,1 Mio. und 43% (Q3/2023: EUR 76,2 Mio., 46 %). Die Veränderung gegenüber dem Vorjahreszeitraum ist im Wesentlichen auf eine Änderung im Produktmix zurückzuführen, der einen hohen Anteil margenschwächerer LED-Anlagen beinhaltete.
 

Investitionen in Forschung und Entwicklung weiter hoch

Die Betriebsaufwendungen sind im dritten Quartal 2024 leicht zurückgegangen: Sie lagen bei EUR 29,6 Mio. und damit 4% unter dem Vorjahresquartal (EUR 30,9 Mio.). Zum Ende September erreichten die bis dahin getätigten Betriebsaufwendungen für das Jahr EUR 99,7 Mio., ein Anstieg von 14% zum Vergleichszeitraum in 2023 (EUR 87,4 Mio.). Den größten Anteil daran hatten weiterhin Investitionen in Forschung und Entwicklung. Entsprechend stiegen die F&E-Aufwendungen in den ersten neun Monaten um 15% auf EUR 68,7 Mio. (9M/2023: EUR 59,8 Mio.). Im dritten Quartal 2024 betrugen die Aufwendungen für F&E EUR 21,2 Mio., ein Plus von 2% (Q3/2023: EUR 20,8 Mio.).
 

Das Betriebsergebnis (EBIT) lag in den ersten neun Monaten 2024 bei EUR 60,3 Mio., was einer EBIT-Marge von 15% (9M/2023: EUR 93,4 Mio., 22%) entspricht. Im 3. Quartal 2024 kam AIXTRON auf ein Betriebsergebnis (EBIT) von EUR 37,5 Mio. und eine EBIT-Marge von 24% (Q3/2023: EUR 45,3 Mio.; 27%). Der Rückgang des Betriebsergebnisses (EBIT) im Vergleich zum Vorjahr ist im Wesentlichen auf die geringere Bruttomarge aufgrund des schlechteren Produktmix sowie die gestiegenen F&E-Aufwendungen zurückzuführen. Das Periodenergebnis erreichte in den ersten neun Monaten 2024 EUR 52,9 Mio. (9M/2023: EUR 83,5 Mio.; Q3/2024: EUR 30,9 Mio.; Q3/2023: EUR  39,6 Mio.).
 

Finanzposition

Der Cashflow aus betrieblicher Tätigkeit lag im 3. Quartal 2024 mit EUR 15,4 Mio. (Q3/2023: EUR 4,9 Mio.) und in den ersten neun Monaten 2024 mit EUR 28,2 Mio. (9M/2023: EUR -65,6 Mio.) deutlich über dem Vorjahr. Im 3. Quartal 2024 hat sich der einsetzende Abbau der Vorratsbestände positiv ausgewirkt. Der Free Cashflow kam im 3. Quartal 2024 auf EUR -1,5 Mio. (Q3/2023: EUR -2,2 Mio.) und in den ersten neun Monaten 2024 auf EUR -58,0 Mio. (9M/2023: EUR -82,3 Mio.) und konnte damit trotz der deutlich höheren Investitionsausgaben für das Innovationszentrum für 300mm Technologie sowie die Erweiterung der Produktionskapazitäten in Italien deutlich gegenüber dem Vorjahr verbessert werden.
 

AIXTRON wies zum 30. September 2024 liquide Mittel einschließlich sonstiger kurzfristiger finanzieller Vermögenswerte in Höhe von EUR 78,1 Mio. aus (30. Juni 2024: EUR 79,4 Mio.; 31. Dezember 2023: EUR 181,7 Mio.). Die hohe Eigenkapitalquote zum 30. September 2024 von 79% unterstreicht die Finanzstärke von AIXTRON (31. Dezember 2023: 75%).
 

"Besonders erfreulich ist die positive Entwicklung unseres Operativen Cashflows, ausgelöst durch die begonnene Optimierung unserer Lagerbestände. Ziel ist es, die Vorräte innerhalb der nächsten zwölf Monate auf ein normales Niveau zu reduzieren. Darüber hinaus konzentrieren wir uns weiter auf die Technologien von morgen und tätigen bereits heute die dafür notwendigen Investitionen, insbesondere in Forschung und Entwicklung. Der beste Beweis hierfür ist unser neues Innovationszentrum, das wir aus eigener Kraft finanzieren“, sagt Dr. Christian Danninger, Finanzvorstand der AIXTRON SE.
 

Prognose für das Gesamtjahr 2024 bestätigt

Basierend auf der aktuellen Marktentwicklung bestätigt der Vorstand die Jahresprognose 2024 vom 04. Juli 2024. Demnach rechnet der Vorstand für das Geschäftsjahr 2024 mit Umsatzerlösen in einer Bandbreite zwischen EUR 620 Mio. und EUR 660 Mio., einer Bruttomarge von etwa 43% bis 45% sowie einer EBIT-Marge von etwa 22% bis 25%. Für das vierte Quartal 2024 erwartet der Vorstand Umsatzerlöse in einer Bandbreite von rund EUR 215 Mio. bis EUR 255 Mio.
 

Gedämpfte Nachfrage für 2025 erwartet

Die mittel- und langfristigen Treiber für das Umsatzwachstum bei AIXTRON bleiben intakt: effiziente Leistungselektronik für Anwendungen in IT und KI, SiC-Technologie für Elektromobilität sowie Micro LEDs für Displays der nächsten Generation. Kurzfristig entwickelt sich die Nachfrage in den Endmärkten jedoch verhalten, so dass Stand heute für das Geschäftsjahr 2025 Umsatzerlöse auf dem Niveau des Geschäftsjahres 2024 oder leicht darunter als wahrscheinlich anzusehen sind.

* nicht aussagekräftig wegen zu hoher Periodenschwankungen

Finanzinformationen

Die Präsentation zu den Ergebnissen der ersten neun Monate 2024 und des dritten Quartals 2024 ist verfügbar unter: www.aixtron.com/de/investoren/ir-praesentationen.
 

Die vollständigen Finanztabellen des Konzerns (Gewinn- und Verlustrechnung, Sonstiges Ergebnis der Periode, Bilanz, Kapitalflussrechnung sowie Entwicklung des Eigenkapitals) zu dieser Pressemitteilung sind als Teil der Konzern-Quartalsmitteilung Q3/2024 abrufbar unter:

www.aixtron.com/de/investoren/publikationen.
 

Telefonkonferenz für Investoren

Im Rahmen der Veröffentlichung der Ergebnisse der ersten neun Monate 2024 wird AIXTRON am Donnerstag, den 31. Oktober 2024, um 15:00 Uhr MEZ (06:00 a.m. PST, 09:00 a.m. EST) eine Telefonkonferenz (in englischer Sprache) für Analysten und Investoren abhalten.
 

Bitte melden Sie sich online unter https://webcast.meetyoo.de/reg/YXC1FPwvHsvw für die Veranstaltung an. Sie erhalten dann eine E-Mail mit Ihren persönlichen Zugangsdaten.

Einen Audiomitschnitt oder eine Abschrift finden Sie nach der Konferenz unter:
www.aixtron.com/de/investoren/events/telefonkonferenzen.

Zum Herunterladen von Fotos, bitte hier klicken.

Ansprechpartner

Investoren:

Christian Ludwig
Vice President Investor Relations
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

Medien:

Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com

 

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT®, AIXTRON®, Close Coupled Showerhead®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, Optacap™, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, TriJet®

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichteten Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.

AIXTRON CEO Dr. Felix Grawert

AIXTRON verlängert Vertrag von CEO Dr. Felix Grawert

Herzogenrath, 17. September 2024 – Dr. Felix Grawert wird den im MDAX gelisteten Technologieführer AIXTRON weiterhin leiten. Der Aufsichtsrat der AIXTRON SE (FSE: AIXA) hat in seiner gestrigen Sitzung den bestehenden Vertrag vorzeitig um weitere fünf Jahre bis zum 13. August 2030 verlängert.

Dr. Grawert ist seit August 2017 Mitglied des Vorstands und bekleidet das Amt des Vorstandsvorsitzenden/CEO seit 2021. Während seiner Zeit als CEO war er maßgeblich am Erfolg des Unternehmens im Bereich Leistungselektronik beteiligt und konnte den Umsatz mehr als verdoppeln.

„Mit Dr. Grawert hat AIXTRON bedeutende Fortschritte in der Anlagentechnologie für Leistungselektronik und Optoelektronik gemacht. Diese Fortschritte ermöglichen es AIXTRON, eine zentrale Rolle in der globalen Halbleiterindustrie zu spielen. Ich freue mich auf die Fortsetzung der konstruktiven und vertrauensvollen Zusammenarbeit“, sagt Kim Schindelhauer, Vorsitzender des Aufsichtsrats der AIXTRON SE.

„Es freut mich sehr, meine Arbeit bei AIXTRON fortzusetzen und die Zukunft von AIXTRON und der Halbleiterindustrie weiter gestalten zu können. Unser Fokus liegt auf Innovation und auf den Technologien von Morgen“, sagt Dr. Felix Grawert. „In den kommenden Jahren werden wir unsere technologische Führungsposition ausbauen und damit zur Dekarbonisierung und Digitalisierung der Welt maßgeblich beitragen.“

Vor seiner Tätigkeit bei AIXTRON war Dr. Grawert bei der Infineon Technologies AG tätig, und davor bei McKinsey & Company. Er promovierte am Massachusetts Institute of Technology (MIT), erwarb einen Master of Science (MSc) am Georgia Institute of Technology und schloss ein Ingenieursstudium der Elektrotechnik an der Universität Karlsruhe (TH) ab.

Ansprechpartner

Medien
Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com

Investoren
Christian Ludwig
Vice President Investor Relations
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und ‑umwandlung, Kommunikation, Signal‑ und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.