NINGBO, China, 11. März 2026 /PRNewswire/ -- In den in der Branche immer wieder aufflammenden Diskussionen über „Weltraum-Photovoltaik" werden einige technische Schlüsseleigenschaften immer wieder betont: Leichtbauweise, hohe Ausgangsleistung, Strahlungsresistenz und langfristige Zuverlässigkeit. Diese Anforderungen lenken unseren Fokus natürlich auf eine Kerntechnologie, die wir bereits seit langem entwickeln und auch schon in großem Maßstab eingesetzt haben – die Anwendung ultradünner Siliziumwafer in Heterojunction-Solarzellen (Heterojunction Technology, HJT).

Wenn wir heute das von Risen Energy veröffentlichte technische Whitepaper „Risen Energy's HJT Hyper-ion: A White Paper on Development and Industrial Application of Ultra-Thin Silicon Wafers" (Das Risen Energy HJT Hyper-Ion: Ein Whitepaper zur Entwicklung und industriellen Anwendung ultradünner Siliziumwafer) erneut betrachten, stellen wir fest, dass viele der Ideen, die heute an der Grenze des Machbaren auftauchen, bereits in der dort dokumentierten praktischen technischen Logik enthalten waren. Dieses umfassende Dokument aus dem Bereich der Massenproduktion kann der Branche eine Perspektive bieten, die technische Erkenntnisse und praktische Unterstützung vereint.

1. Warum „dünn"? Eine unvermeidliche Wahl, begründet in der Art der Konstruktion

In dem White Paper weisen wir deutlich darauf hin, dass in der Kostenstruktur von HJT-Solarzellen die Siliziumwafer mit 55 % den größten Anteil ausmachen. Daher ist die Verwendung möglichst dünner Wafer die direkteste und wirksamste Methode zur Kostensenkung. Die Gründe dafür gehen jedoch über den wirtschaftlichen Aspekt hinaus. Sie sind grundlegend mit der Heterojunction-Technologie selbst verbunden.

Der gesamte Niedrigtemperatur-Fertigungsprozess von HJT-Zellen (<200 °C) und die vollständig symmetrische Zellstruktur ermöglichen eine sehr viel „sanftere" Verarbeitung des Wafers, wodurch Risiken wie Wafer-Verwerfungen und -brüche, die durch Hochtemperaturprozesse und asymmetrische Belastungen bei PERC- und TOPCon-Technologien verursacht werden, erheblich reduziert werden. Daher sind ultradünne Wafer nicht nur mit der Heterojunction-Technologie kompatibel – sie sind ein inhärenter Vorteil der HJT und eine der wichtigsten Voraussetzungen für ihre breitere Verwendung in der Zukunft.

2. Wie kann „dünn" zuverlässig sein? Systematische Balance von Effizienz, Ertrag und mechanischer Festigkeit

Wir haben eine Reihe von Untersuchungen und praktischen Versuchen durchgeführt, die sich auf Effizienz, Produktionsausbeute und mechanische Festigkeit konzentrieren:

2.1 Kompromisse bei der Effizienz

Unsere Versuchsergebnisse stimmen mit den Erkenntnissen aus der Fachliteratur überein und zeigen eine interessante Wechselbeziehung: Während der Kurzschlussstrom (Jsc) mit abnehmender Waferdicke sinkt, steigt die Leerlaufspannung (Voc). Der Füllfaktor (FF) bleibt relativ konstant. Innerhalb einer bestimmten „Plateauphase" ist die Abnahme der Gesamteffizienz der Zellen minimal und akzeptabel. Die Breite dieses Plateaus ist bei verschiedenen Zelltechnologien unterschiedlich. Bei Risen Energy haben die mit 110-μm-Wafern hergestellten HJT-Hyperion-Zellen bereits einen durchschnittlichen Wirkungsgrad von 26,4 % erreicht, wobei die besten Produktionschargen 26,6 % übersteigen. Diese Ergebnisse zeigen, dass bei der Heterojunction-Technologie eine geeignete Verringerung der Waferdicke die obere Leistungsgrenze nicht beeinträchtigt.

2.2 Optimierung der Fertigung

Wir haben die Waferkassettenkonfiguration neu gestaltet und von horizontaler auf vertikale Bestückung umgestellt, während wir gleichzeitig alle damit verbundenen Automatisierungs- und Transferprozesse in der gesamten Linie optimiert haben. Die Ergebnisse zeigen eine stabilisierte Ausbeute von durchgängig über 99,5 % bei einer Fragmentierungsrate von unter 0,25 %, was beweist, dass die mit der „Waferdünnung" verbundenen Herausforderungen bei der Herstellung durch systematische Prozess- und Anlageninnovationen bewältigt werden können.

2.3 Wiederentdeckung der mechanischen Festigkeit

Unsere Vergleichstests ergaben, dass 150 μm PERC- und 130 μm TOPCon-Zellen während des Biegetests zerbrachen. Wurde die Dicke jedoch auf unter 100 μm reduziert, wiesen die Zellen stattdessen eine ausgezeichnete Flexibilität auf. HJT-Zellen weisen eine außergewöhnliche Flexibilität auf, die neue Möglichkeiten für Leichtbaumodule und Anwendungen in speziellen Umgebungen schafft.

3. Vom Erdboden in den Weltraum: Ausdehnung der Tiefe von „dünn"

Unsere aktuellen HJT-Hyper-ion-Produkte für Freiflächen-PV-Anlagen verwenden ausschließlich 110-μm-Siliziumwafer und eine Solarzellendicke von etwa 95 μm. Bei dieser Dicke haben wir ein optimales Gleichgewicht zwischen Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit bei gleichzeitig deutlicher Kostenreduzierung erreicht. Dies ist jedoch nur ein Aspekt unserer technischen Möglichkeiten.

Insbesondere für Photovoltaik-Anwendungen im Weltraum, wo ein extrem hohes Leistungsgewicht erforderlich ist, müssen Solarzellen in der Regel 70 μm oder noch dünner sein. Dank der jahrelangen Erfahrung mit der ultradünnen HJT-Wafertechnologie ist Risen Energy in der Lage, Zellen mit einer Dicke von weniger als 70 μm herzustellen.

4. Wie kann „dünn" auch effektiv sein? Systeminnovation von der Zelle bis zum Modul

Herkömmliches Hochtemperaturlöten ist für solche dünnen Zellen nicht mehr geeignet. Um dieser Herausforderung zu begegnen, hat Risen Energy die spannungsfreie Zellverbindungstechnologie „Hyper-link" entwickelt. Diese Technologie, die durch mehr als 50 exklusive Patente geschützt ist, vermeidet lötbedingte thermische Spannungen und passt perfekt zu den niedrigen Temperaturmerkmalen der Hyperjunction-Technologie und den physikalischen Eigenschaften ultradünner Zellen.

Diese Innovation wird durch strenge Zuverlässigkeitstests gestützt, die die Anforderungen der IEC-Normen weit übertreffen: 5400 Pa statische Belastung, 10.000 dynamische Belastungszyklen, 2000 Stunden feuchte Hitze (DH2000), 400 thermische Zyklen (TC400) und weitere beschleunigte Alterungstests. Die Ergebnisse bestätigten, dass Hyper-ion-Module, die ultradünne Wafer und die Hyper-link-Technologie verwenden, Leistungseinbußen aufweisen, die weit unter den Standardanforderungen liegen.

5. Integrierte Forschung und Entwicklung

Bei der Betrachtung unserer Reise hin zu ultradünnen Wafern liegt der eigentliche Fortschritt nicht nur in einzelnen technologischen Durchbrüchen, sondern auch in integrierten Innovationen bei Wafern, Zellen und Modulen. Waferdünnung, Metallisierung mit niedrigem Silbergehalt, Zero-Busbar-Zellen und Hyper-link-Technologien fügen sich wie Puzzleteile unter einem einheitlichen Konstruktionsprinzip zusammen und führen letztendlich zur Wettbewerbsfähigkeit der Hyper-ion-Produkte.

Die Entwicklung ultradünner Wafer durch Risen Energy begann als Reaktion auf die Notwendigkeit von Kostensenkungen in der Industrie und war dank der Berücksichtigung technologischer Grundlagen und des Engagements für systematische Innovationen erfolgreich. Mit der erneuten Veröffentlichung und Weitergabe dieses Whitepapers möchten wir unseren aktuellen Stand der Betrachtungen und der industriellen Praxis vorstellen und gemeinsam mit Partnern aus der gesamten Branche daran arbeiten, die Photovoltaik-Technologie in eine Zukunft zu führen, die leichter, stärker und kreativer ist als je zuvor.

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NINGBO, China, 9. März 2026 /PRNewswire/ -- In der Photovoltaikbranche haben sich die Diskussionen um die Senkung der Kosten für Silberpaste und die Entwicklung innovativer Metallisierungsmaterialien in letzter Zeit intensiviert. In diesem Zusammenhang greifen wir erneut auf das technische Whitepaper von Risen Energy – Whitepaper zu HJT-Hyper-ion-Produkten: Entwicklung und Anwendung von metallisierender Paste mit geringem Silberanteil – zurück, um die frühen strategischen Erkenntnisse, experimentellen Validierungen und Grundlagen des Unternehmens erneut zu untersuchen Diese rückblickende Analyse soll Branchenkollegen praktische Perspektiven vermitteln, die aus praktischen Erfahrungen gewonnen wurden.

I. Weitsicht und systematische Planung: Mehr als nur Ersatz 

Angesichts der begrenzten Silberreserven und der Preisvolatilität erkannte Risen Energy, dass die Einführung kostengünstiger Metallalternativen für ein nachhaltiges Wachstum unerlässlich war – ähnlich wie beim historischen Übergang von Gold- zu Kupferverbindungen in integrierten Schaltkreisen. Der Ansatz des Unternehmens ging über die konzeptionelle Substitution hinaus und umfasste auch die systematische Umsetzung:

Umfassende Materialauswahl: Risen Energy bewertete potenzielle Metalle (z. B. Kupfer, Aluminium, Zink, Nickel) anhand von drei Kriterien: elektrische Leitfähigkeit, weltweite Reserven und Marktstabilität. Kupfer erwies sich aufgrund seiner hohen Leitfähigkeit (5,96 × 10⁷ S/m), seiner reichlichen Reserven und seiner Kosteneffizienz als erstklassiger Kandidat.

Strategischer Technologiepfad: Obwohl die Galvanisierung eine silberfreie Alternative darstellt, gab Risen Energy einer Paste mit niedrigem Silbergehalt den Vorzug, bei der eine Silberschale einen kostengünstigen Metallkern umhüllt, da diese mit den bestehenden Produktionslinien kompatibel und schnell skalierbar ist.

Strenge Zuverlässigkeitsüberprüfung: Das Whitepaper zeigt, dass Module, die Pasten mit niedrigem Silbergehalt verwenden, nach Feuchtigkeits- und Temperaturwechselprüfungen (DH- und TC-Tests) mit um ein Vielfaches erhöhten Belastungsgraden eine hervorragende Degradationsrate aufweisen. In einigen Fällen übertrifft ihre Leistung sogar die von Modulen mit reinen Silberpasten, und ihre Stromerzeugungskapazität ist mit der von Modulen mit reinen Silberpasten vergleichbar.

II. Von der Innovation zur Industrialisierung: Führend in der Massenproduktion 

Die HJT-Produkte von Risen Energy werden seit mehreren Jahren stabil und in großem Maßstab auf Produktionslinien hergestellt. Derzeit wurde der reine Silberverbrauch der HJT-Zellen von Risen Energy auf 3,9 Milligramm pro Watt (mg/W) reduziert, ein Wert, der weltweit führend ist.

III. Reflexionen und Ausblick: Wertorientierter Fortschritt 

Diese Übersicht hebt drei Kernprinzipien hervor, die der Strategie von Risen Energy zugrunde liegen:

Inhärente Synergie zwischen HJT und silberarmen Materialien: Die Niedrigtemperaturfertigung, die Bifacialität und die überlegene Passivierung von HJT bieten eine ideale Plattform für sichere und effiziente Innovationen im Bereich der Metallisierung.

Kostensenkung als Wertmultiplikator: Durch die Integration von Materialoptimierung und Prozessexzellenz gewährleistet Risen Energy niedrigere LCOE-Werte und einen höheren ROI, ohne die Zuverlässigkeit oder Leistungsabgabe zu beeinträchtigen.

Materialinnovation als Katalysator für die Branche: Die Reduzierung des Silberverbrauchs geht über Kosteneinsparungen hinaus und stellt einen Paradigmenwechsel in der Photovoltaik-Technologie und Nachhaltigkeit dar.

Wir danken allen Kunden und Partnern für ihre kontinuierliche Aufmerksamkeit und ihr Vertrauen in die HJT-Technologie von Risen Energy. Risen Energy wird auch weiterhin das ursprüngliche Ziel der „Kostensenkung und Effizienzsteigerung" verfolgen, den Industrialisierungsprozess der HJT-Technologie vorantreiben und einen soliden Beitrag zur globalen Energiewende leisten.

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NINGBO, China, 24. Januar 2026 /PRNewswire/ -- Kürzlich veröffentlichte die globale PV-Behörde TaiyangNews ihre erste Liste mit TOP-SOLARMODULEN 2026. Die Hyper-ion Pro HJT-Module von Risen Energy sicherten sich einen Platz unter den drei weltweit besten Modulen, unterstützt durch eine Serienleistung von 740 Wp und einen Umwandlungswirkungsgrad von 23,8 %.

Die Liste der TOP-SOLARMODULE konzentriert sich auf kommerziell hergestellte PV-Module aus der Massenproduktion und stellt systematisch ihre wichtigsten Leistungen vor. Nach strengen Aufnahmekriterien werden nur Produkte zugelassen, die bereits in Massenproduktion hergestellt wurden, über vollständige technische Daten verfügen und eine Umwandlungseffizienz von ≥21,5 % aufweisen, sodass die Ergebnisse einen hohen Referenzwert und eine hohe Glaubwürdigkeit in der Branche haben.

In den HJT Hyper-ion Pro-Modulen von Risen Energy sind Kerntechnologien integriert, darunter die OBB-Zelltechnologie, die stressfreie Hyper-link-Verbindungstechnologie und die ultradünne Zelltechnologie, die sowohl die Leistung als auch die Kosteneffizienz deutlich verbessern. Mit einer extrem hohen Bifacialität von 90 % ± 5 % und einem äußerst niedrigen Temperaturkoeffizienten von -0,24 %/°C bieten die Module in verschiedenen Anwendungsszenarien eine konstant hohe Leistung. Bis Ende 2025 wurden insgesamt mehr als 12 GW an HJT-Produkten der Hyper-ion-Serie ausgeliefert und in über 80 Länder und Regionen weltweit exportiert.

Risen Energy hat sich proaktiv in die Weltraumwirtschaft vorgewagt und seine selbst entwickelten ultradünnen p-Typ-HJT-Zellen mit einer Größe von 50 μm in Serie geliefert. Diese Zellen, die sich durch ihr geringes Gewicht und ihre Strahlungsbeständigkeit auszeichnen, sind perfekt mit flexiblen Solaranlagen kompatibel. Die von Risen Energy entwickelte Perowskit-Silizium-HJT-Tandemsolarzelle hat einen Umwandlungswirkungsgrad von 30,99 % erreicht, was einen großen Spielraum für die Weiterentwicklung der Effizienz in der künftigen Weltraum-Photovoltaik eröffnet.

Von bodengestützten Kraftwerken bis hin zum weiten Sternenhimmel – Risen Energy definiert durch Innovation die Grenzen der Energie neu. Damit wird nicht nur die PV-Technologie weiterentwickelt, sondern auch eine solide wissenschaftliche Grundlage für den Aufstieg der menschlichen Zivilisation in das interstellare Energiezeitalter geschaffen.

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