KYOTO, Japan, 15. Juni 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat das TSC3PAK-Gehäuse (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) für SiC-MOSFETs entwickelt. Durch den Einsatz einer Wärmeableitungsstruktur an der Oberseite, bei der die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite des Gehäuses angeordnet ist, ermöglicht das neue Produkt eine automatisierte Bestückung und erreicht dabei eine Wärmeableitungsleistung, die mit der herkömmlicher Durchsteckgehäuse (TO-247-4L) vergleichbar ist. Dies trägt zu einer höheren Effizienz und Zuverlässigkeit in Stromwandlerschaltungen für Bordladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren bei, die in xEVs (Elektrofahrzeugen) zum Einsatz kommen.

Produktübersicht – Seite zum TSC3PAK-Paket: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices/sic-mosfet?page=1&PS_PackageShortCode=TSC3PAK#parametricSearch 

Abbildungen: Produktmerkmale
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Bei xEVs erstreckt sich der Einsatz von SiC-Bauelementen mittlerweile nicht mehr nur auf Hauptwechselrichter, sondern umfasst auch Stromumwandlungsschaltungen wie On-Board-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren, um die Ladegeschwindigkeit zu erhöhen und die Reichweite zu verlängern.

Bauteile mit Durchsteckmontage erfordern manuelle Montageprozesse, und aufgrund ihrer Bauform ist es schwierig, ein flacheres Gehäuseprofil zu erzielen. SiC-Bauelemente für die Oberflächenmontage, die für die automatisierte Bestückung geeignet sind, finden zunehmend Verbreitung. Um diese Probleme zu lösen, bietet das neue TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit der von Durchstecktechnologien wie TO-247 vergleichbar ist – und das in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse.

Das neue Gehäuse verfügt über die von ROHM entwickelte Rillenstruktur, die eine große Kriechstrecke von 6,66 mm gewährleistet. Dadurch ist es in der Lage, eine Wechselstrom-Spitzenspannung von 1200 V in einer Umgebung der Verschmutzungsklasse 2 zu bewältigen und gleichzeitig die Kompatibilität mit marktüblichen Produkten zu gewährleisten.

Produkte, die das neue Gehäuse verwenden, sind mit SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM ausgestattet und zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie schnelle Schalteigenschaften aus. Dadurch werden die Schaltverluste bei der Stromumwandlung deutlich reduziert, was zu einer höheren Anwendereffizienz und einem geringeren Stromverbrauch beiträgt.

Die Serienproduktion begann im Juni 2026. Weitere Informationen finden Sie auf der Kontaktseite der ROHM-Website.

Abbildungen: Produktpalette
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Anwendungsbeispiele
– Automobiltechnik: Bordladegeräte (OBCs), elektrische Kompressoren
– Industrieausrüstung: PV-Wechselrichter, Server-Netzteile

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-06-09_news_tsc3pak&defaultGroupId=false 

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606030283-O1-iA2h7u9F.pdf 

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202606030283/_prw_PI3fl_r8DUbz72.jpg 

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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KYOTO, Japan, 10. Juni 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. gab bekannt, dass sein SiC-MOSFET mit 750 V in einer BBU (Battery Backup Unit) für KI-Server-Netzteile eingesetzt wurde. Mit dem Aufkommen der generativen KI verlagern sich die Stromversorgungssysteme von KI-Servern auf höhere Spannungen und gehen rasch zu HVDC-Architekturen (Hochspannungs-Gleichstrom) über. In diesem Umfeld wurde das Bauelement von ROHM als SiC-Leistungshalbleiter ausgewählt, der Stromversorgungssysteme der nächsten Generation unterstützt.

Abbildungen: Produktmerkmale

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Da die generative KI eine höhere GPU-Leistung und einen steigenden Stromverbrauch in Rechenzentren vorantreibt, bewegt sich die Branche in Richtung HVDC-Architekturen, um Verluste bei der Stromübertragung zu verringern. In diesen Hochleistungs- und Hochspannungsumgebungen spielen BBUs und CUs (Kondensatoreinheiten) eine zunehmend wichtige Rolle beim Schutz von Systemen auf Rack-Ebene bei Stromausfällen oder kurzzeitigen Unterbrechungen.

Bei dem eingesetzten Produkt handelt es sich um den „SCT4013DLL", einen SiC-MOSFET mit 750 V, der im Stromversorgungsbereich einer Stromversorgungsarchitektur für KI-Server mit +400 V/−400 V eingesetzt wird. Dank der Eigenschaften von SiC bietet dieses Produkt eine hohe Temperaturtoleranz mit einer maximalen Sperrschichttemperatur (Tj) von 175 °C, was einen stabilen Betrieb selbst in BBUs ermöglicht, in denen die Wärmeentwicklung mit steigender Spannung und Leistungsdichte zunimmt.

SCT4013DLL: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices/sic-mosfet/sct4013dll-product 

Bei den 800-VDC-Stromversorgungsarchitekturen der nächsten Generation beträgt die Versorgungsspannung für das Batteriepack in der BBU etwa 560 V. Aus diesem Grund können die SiC-MOSFETs von ROHM mit einer Nennspannung von 750 V auch in diesen Systemen eingesetzt werden.

KI-Server-Stromversorgungen der nächsten Generation erfordern Backup-Systeme, die hohe Spannungen und große Ströme unmittelbar und mit minimalem Leistungsverlust steuern können. SiC-Leistungshalbleiter werden voraussichtlich eine Schlüsselrolle in diesen Systemen spielen.

Mit Blick auf das anhaltende Wachstum in den Märkten für KI-Server und Rechenzentren wird ROHM die Entwicklung und Bereitstellung von Leistungshalbleitern auf Basis von SiC, GaN und Silizium weiter verstärken. ROHM wird außerdem zu einer höheren Energieeffizienz und zur Verwirklichung einer nachhaltigen Gesellschaft beitragen, indem das Unternehmen diese Leistungshalbleiter mit analogen ICs und anderen Technologien kombiniert.

Weitere Informationen finden Sie auf der ROHM-Website für SiC-Leistungshalbleiter, darunter „Einfache Suche", Design-Ressourcen und verwandte Inhalte:

Einfache Suche: https://www.rohm.de/products/sic-power-devices/sic-mosfet#easyPartFinder

Dokumente und Artikel zu den SiC-MOSFETs von ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606040358-O3-Sa1y2kVk.pdf 

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-06-03_news_sic-mosfet&defaultGroupId=false 

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606040358-O2-IKMX4af8.pdf 

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Offizielle Website: https://www.rohm.com/ 

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KYOTO, Japan, 21. Mai 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat eine konfigurierbare Stromversorgungslösung entwickelt, die die PMIC-Serie BD968xx-C mit dem DrMOS BD96340MFF-C kombiniert und auf SoCs (Systems on a Chip) für den Automobilbereich abzielt, die in Anwendungen wie ADAS (Advanced Driver Assistance Systems), DMS (Driver Monitoring Systems) und Sensorkameras zum Einsatz kommen.

Abbildungen: Produktmerkmale
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In den letzten Jahren haben die steigenden Leistungsanforderungen an SoCs für die Automobilindustrie – bedingt durch die Weiterentwicklung von ADAS, verbesserte Kamerafunktionen im Fahrzeug sowie die Integration von Steuergeräten (ECU) – den Übergang zu Domänenarchitekturen beschleunigt, deren Kernstück Domänencontroller bilden. Daher müssen Stromversorgungsdesigns heute in der Lage sein, den Betrieb bei niedrigen Spannungen und hohen Strömen zu unterstützen und gleichzeitig eine fortschrittliche Sequenzsteuerung sowie eine hohe Zuverlässigkeit zu gewährleisten.

Herkömmliche Stromversorgungsarchitekturen erfordern oft erhebliche Anpassungen, um den Unterschieden zwischen SoC-Herstellern und -Generationen Rechnung zu tragen, was bei der Markteinführung neuer Modelle häufig zu Neukonstruktionen führt. Dies führte sowohl zu einer Verlängerung der Entwicklungszeit als auch zu einem höheren Arbeitsaufwand bei der Verifizierung. Um diesen Herausforderungen zu begegnen, hat ROHM diese Lösung auf der Grundlage eines „konfigurierbaren" Designkonzepts entwickelt, das eine flexible Anpassung an die vielfältigen Stromversorgungsanforderungen von SoC ermöglicht.

Diese Lösung ermöglicht skalierbare Stromversorgungsdesigns, die eine breite Palette von SoCs – vom Low-End- bis zum High-End-Bereich – unterstützen, indem Kombinationen aus konfigurierbaren Haupt-PMICs, Sub-PMICs und DrMOS-Bauteilen je nach Anwendungs- und Leistungsanforderungen flexibel zusammengestellt werden können. Dieser skalierbare Ansatz reduziert den Entwicklungsaufwand bei der Plattformerweiterung und verbessert gleichzeitig die Energieeffizienz sowie die Wiederverwendbarkeit von Designs.

Alle PMICs sind für einen Eingangsspannungsbereich von 2,7 V bis 5,5 V ausgelegt. BD96803Qxx-C und BD96811Fxx-C sind für den Standalone-Betrieb mit Low-End-SoCs optimiert. Die Modelle BD96805Qxx-C und BD96806Qxx-C können in Kombination mit dem DrMOS BD96340MFF-C die Anforderungen an niedrige Spannungen und hohe Ströme erfüllen, die von Hochleistungs-SoCs gestellt werden.

Abbildungen: PMIC / DrMOS Verwendung Bild
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Die PMICs sind in QFN-Gehäusen mit benetzbaren Flanken untergebracht, während der DrMOS in einem Flip-Chip-QFN-Gehäuse sitzt. Alle Geräte sind nach AEC-Q100 zertifiziert, was eine hohe Zuverlässigkeit für Anwendungen im Fahrzeug gewährleistet.

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-05-19_news_power-solutions&defaultGroupId=false 

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202605128856-O2-hw79gq5l.pdf 

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202605128856/_prw_PI2fl_0bY61y2u.jpg 

Offizielle Website: https://www.rohm.com/ 

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KYOTO, Japan, 1. Mai 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat einen Chipsatz für kabelloses Laden entwickelt, der aus einem Empfänger (ML7670) und einem Sender (ML7671) besteht und mit der Near-Field-Communication-(NFC-)Technologie kompatibel ist – ideal für kompakte Wearables wie Smart Rings und Fitnessarmbänder.

ML767x Chipsatz: https://www.rohm.com/products/power-management/wireless-power?page=1&SearchWord=ml767#parametricSearch 

Abbildungen: Produktmerkmale
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Der Markt für Smarkt Rings hat in den letzten Jahren ein rasantes Wachstum erlebt. Für extrem kleine, ringförmige Geräte, die am Finger getragen werden, ist kabelgebundenes Laden jedoch unpraktisch. Gleichzeitig der herkömmliche kabellose Qi-Ladestandard aufgrund von Einschränkungen wie der Größe der Spule nur schwer zu realisieren.

Vor diesem Hintergrund gewinnt NFC-basiertes Laden zunehmend an Bedeutung: Es arbeitet im Hochfrequenzbereich von 13,56 MHz, der eine Miniaturisierung der Antennen ermöglicht, und wird zunehmend in Wearables der nächsten Generation eingesetzt.

Der neue Chipsatz baut auf dem bewährten Empfänger (ML7660) und Sender (ML7661) auf. Die maximale übertragbare Leistung beträgt 250 mW; zudem sind periphere Komponenten wie die zur Stromversorgung des Lade-ICs erforderlichen Schalt-MOSFETs bereits integriert. Das Ergebnis ist eine Lösung, die sowohl hinsichtlich Platzbedarf als auch Energieübertragungseffizienz für die von kompakten Wearables geforderte Leistungsklasse optimiert ist.

Abbildung: Vergleich der Eigenschaften von Leistungsempfänger-ICs und Anwendungsbeispiele
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Der Leistungsempfänger-IC ML7670 erreicht eine maximale Leistungsübertragungseffizienz von 45 % im niedrigen Leistungsbereich von 250 mW – und das alles mit branchenführenden kompakten Abmessungen von nur 2,28 x 2,56 x 0,48 mm. Darüber hinaus ist die gesamte für die kabellose Stromübertragung erforderliche Firmware direkt in den IC eingebettet, so dass eine Host-MCU nicht erforderlich ist.

Die Konformität mit den NFC-Forum-Spezifikationen (WLC 2.0) ermöglicht kabelloses Laden bei gleichzeitiger Kompatibilität mit bestehenden Geräten und positioniert den Chipsatz als Schlüsselkomponente im wachsenden NFC-Ökosystem.

Abbildungen: Produktübersicht
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Der neue Chipsatz befindet sich bereits in der Massenproduktion. Darüber hinaus kommt der Chipsatz im SOXAI RING 2 zum Einsatz, dem neuesten Modell, das am 10. Dezember 2025 von SOXAI Inc., dem japanischen Entwickler und Anbieter des Schlaf-Tracking-Rings SOXAI RING, auf den Markt gebracht wurde.

* Der Name „SOXAI" wird „SOK-sai" ausgesprochen.

SOXAI RING 2 Umsetzungsbeispiel: https://www.rohm.com/collaboration/soxai_ring-2 

Anwendungsbeispiele
- Smart Rings
- Fitnessarmbänder
- Smart Pens
- Kabellose Ohrhörer
- Weitere kompakte Geräte (z. B. Wearables)

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-04-28_news_wireless-charge&defaultGroupId=false 

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202604217802-O1-7Qv27crN.pdf 

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202604217802/_prw_PI4fl_2aE455Sk.jpg 

Offizielle Website: https://www.rohm.com/ 

 

 

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KYOTO, Japan, 2. April 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat sein Sortiment um die neuen CMOS-Operationsverstärker-Serien (Op Amps) „TLRx728" und „BD728x" erweitert. Sie eignen sich für eine breite Palette von Anwendungen, darunter Automobil-, Industrie- und Verbrauchersysteme. Ein breites Angebot erleichtert auch die Produktauswahl.

Kennzahlen: Produktmerkmale
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In den letzten Jahren ist die Nachfrage nach hochpräzisen Operationsverstärkern rapide gestiegen, da Automobil- und Industriesysteme immer anspruchsvoller werden und eine höhere Geschwindigkeit, bessere Präzision und höhere Effizienz erfordern. Bei Anwendungen, die eine Verstärkung der Sensorausgänge erfordern, ist die Minimierung von Signalfehlern und Verzögerungen von entscheidender Bedeutung. Um diese Anforderungen zu erfüllen, ist eine ausgewogene Reihe von Schlüsseleigenschaften erforderlich, einschließlich Eingangsoffsetspannung, Rauschen und Anstiegsgeschwindigkeit.

Bei diesen neuen Produkten handelt es sich um Hochleistungs-Operationsverstärker, die eine niedrige Eingangsoffsetspannung, geringes Rauschen und eine hohe Anstiegsgeschwindigkeit bieten. Der TLRx728 hat eine Eingangsoffsetspannung von 150 Mikrovolt (typ.), während der BD728x 1,6 Millivolt (typ.) bietet. Beide Serien haben eine Rauschspannungsdichte von 12 Nanovolt pro Quadratwurzel Hertz bei 1 kHz und eine Anstiegsrate von 10 Volt pro Mikrosekunde. Sie eignen sich daher für eine breite Palette von Präzisionsanwendungen, einschließlich Sensorsignalverarbeitung, Stromerkennungsschaltungen, Motortreibersteuerung und Stromversorgungsüberwachungssysteme. Beide Serien sind auf Vielseitigkeit und hohe Leistung ausgelegt und nicht auf bestimmte Anwendungen beschränkt.

Die Rail-to-Rail-Eingangs-/Ausgangsfähigkeit ermöglicht eine maximale Ausnutzung des Spannungsbereichs der Stromversorgung und gewährleistet einen großen Dynamikbereich. Zusätzlich zu den Konfigurationen mit 1, 2 und 4 Kanälen ist eine breite Palette von Gehäusen erhältlich, die eine optimale Produktauswahl je nach Anwendung und Leiterplattengröße ermöglichen.

Die neuen Produkte werden mit Ausnahme bestimmter Teilenummern gleichzeitig eingeführt (Musterpreis: 1-Kanal: 2,0 USD, 2-Kanal: 2,8 USD, 4-Kanal: 4,0 USD pro Einheit, ohne Steuer). Die wichtigsten Produktmerkmale entnehmen Sie bitte der Aufstellungstabelle. Die Produkte sind auch online bei Online-Händlern wie DigiKey, Mouser und Farnell erhältlich.

Kennzahlen: Tabelle der wichtigsten Produkte
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202603185852-O1-M2KnjTXU.pdf 

Anwendungsbeispiele

Kraftfahrzeugausrüstung, Industrieausrüstung und Unterhaltungselektronik.

Beispiel für einen Anwendungsfall: Sensorsignalverarbeitung, Stromerkennungsschaltungen, Motortreibersteuerung und Stromversorgungsüberwachungssysteme.

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-03-31_news_opamp&defaultGroupId=false 

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202603185852-O2-p21y47fb.pdf 

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202603185852/_prw_PI2fl_Qro6Es5C.jpg 

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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KYOTO, Japan, 16. März 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat mit dem Online-Verkauf neuer SiC-Module begonnen: TRCDRIVE-Paket (TM), HSDIP20 und DOT-247. Angesichts wachsender Bedenken hinsichtlich der Verknappung der globalen Stromversorgung und der Notwendigkeit von Energieeinsparungen fördern diese Produkte den Einsatz hocheffizienter Stromumwandlung mit SiC in einem breiteren Anwendungsspektrum. Diese Produkte sind bei Händlern wie DigiKey erhältlich.
Einzelheiten: https://www.digikey.com/en/product-highlight/r/rohm-semi/trcdrive-pack-in-dot247-hsdip20 

TRCDRIVE-Paket (TM)
Das TRCDRIVE-Paket (TM) ist ein 2-in-1-SiC-Modul, das mit Traktionswechselrichtern für xEV (Elektrofahrzeuge) bis zu 300 kW kompatibel ist. Es enthält SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM mit niedrigem Einschaltwiderstand, wodurch die Leistungsdichte um das 1,5-fache höher ist als bei herkömmlichen SiC-Modulen und gleichzeitig zur Miniaturisierung von Wechselrichtern für xEVs beiträgt. Darüber hinaus ermöglicht sein einzigartiges Anschlusslayout den Anschluss durch Aufstecken der Gate-Treiberplatine von oben, was die Installationszeit verkürzt.

Informationen zum TRCDRIVE-Paket (TM): https://kyodonewsprwire.jp/attach/202603055107-O1-NTn4X99y.pdf 

HSDIP20
Das HSDIP20 ist ein SiC-Modul in 4-in-1- und 6-in-1-Konfigurationen, das sich ideal für xEV-Bordladegeräte, EV-Ladestationen, Server-Netzteile und AC-Servos eignet. Die Produktpalette umfasst sechs 750-V- und sieben 1200-V-Modelle. Alle für die Leistungsumwandlung in verschiedenen Hochleistungsanwendungen erforderlichen Grundschaltungen sind in einem kompakten Modulpaket integriert, was den Konstruktionsaufwand reduziert und eine Miniaturisierung der Schaltungen ermöglicht.

Informationen zum HSDIP20: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202603055107-O2-9TKRZTQS.pdf 

DOT-247
Das DOT-247 ist ein 2-in-1-SiC-Modul, das sich ideal für industrielle Anwendungen wie PV-Wechselrichter und USV-Systeme eignet. Das Modul behält die Vielseitigkeit des weit verbreiteten „TO-247"-Gehäuses bei und erreicht gleichzeitig eine hohe Leistungsdichte. Es unterstützt verschiedene Schaltungskonfigurationen durch zwei Topologien: Halbbrücke und Common-Source. Durch den Einsatz in Stromumwandlungsschaltungen, die mehrere diskrete Komponenten enthalten, reduziert es die Anzahl der Komponenten und die Montagefläche, was die Miniaturisierung fördert und den Konstruktionsaufwand verringert.

Informationen zu DOT-247: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202603055107-O3-oiQk3Y3J.pdf 

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-03-12_news_sic-power-module&defaultGroupId=false 

Informationen zur Marke EcoSiC (TM): https://kyodonewsprwire.jp/attach/202603055107-O4-03mc4362.pdf 

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202603055107-O5-6EX30Js5.pdf 

Offizielle Website: https://www.rohm.com/ 

View original content:https://www.prnewswire.com/de/pressemitteilungen/die-neuen-sic-leistungsmodule-von-rohm-sind-jetzt-online-kauflich-erhaltlich-302714188.html

KYOTO, Japan, 2. Februar 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat die LDO-Regler-ICs der „BD9xxN5 Series" mit 500 mA Ausgangsstrom entwickelt, die mit der firmeneigenen ultrastabilen Regelungstechnologie „Nano Cap (TM)" ausgestattet sind. Die Serie ist für Anwendungen mit 12- bzw. 24-Volt-Primärversorgung ausgelegt, wie sie in Fahrzeugelektronik, Industrieausrüstung sowie in der Kommunikationsinfrastruktur eingesetzt werden.

Kennzahlen: Produktmerkmale
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In den vergangenen Jahren wird bei elektronischen Geräten eine höhere Packungsdichte bei gleichzeitig kleineren Bauformen verlangt. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden und Platz einzusparen sowie mehr Designflexibilität zu erzielen, müssen Netzteil-ICs auch mit Kondensatoren geringer Kapazität stabil arbeiten.

Um diese Herausforderung zu bewältigen, entwickelte ROHM 2022 den LDO-Regler „BD9xxN1 Series" (150 mA Ausgangsstrom) mit der firmeneigenen ultrastabilen Regelungstechnologie „Nano Cap (TM)". Die neu entwickelte BD9xxN5 Series baut auf dem Erfolg der BD9xxN1 Series auf, indem sie den Ausgangsstrom auf 500 mA erhöht – mehr als dreimal so hoch wie zuvor – und damit die Eignung für Anwendungen mit höherer Leistungsanforderung deutlich erweitert.

Zusätzlich wird eine sehr geringe Ausgangsspannungswelligkeit von ca. 250 mV (bei einer Laststromänderung von 1 mA auf 500 mA innerhalb von 1 Mikrosekunde) bereits mit einer kleinen Ausgangskapazität von nur 470 nF (typisch) erreicht. Dies trägt sowohl zur Platzersparnis als auch zu größerer Flexibilität bei der Bauteilauswahl bei.

„Neue" BD9xxN5 Series: https://www.rohm.com/products/power-management/linear-regulators?page=1&SearchWord=n5#parametricSearch

BD9xxN1 Series: https://www.rohm.com/products/power-management/linear-regulators?SearchWord=n1&OutputCurrent_num=(0.15,0.15)#parametricSearch

Kennzahlen: Wichtige Produkteigenschaften und Anwendungsbeispiele 
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202601202706-O1-06osc1Cn.pdf

Darüber hinaus stellt ROHM hochpräzise SPICE-Modelle, darunter „ROHM Real Model", für eine genaue Simulation bereit. Diese können von der offiziellen Website von ROHM heruntergeladen werden.

Kennzahlen: Was ist die Nano Cap (TM) Technologie?
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202601202706-O2-rEwFZUbE.pdf

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-01-27_news_ldo&defaultGroupId=false

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202601202706-O3-sUd9PthJ.pdf

Logo:
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Offizielle Website: https://www.rohm.com/

View original content:https://www.prnewswire.com/de/pressemitteilungen/rohms-neue-ldo-regler-mit-500-ma-ausgangsstrom-sorgen-selbst-mit-ultrakleinen-kondensatoren-fur-stabilen-betrieb-302675833.html

KYOTO, Japan, 21. Januar 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat den 100-V-Leistungs-MOSFET RS7P200BM entwickelt, der in einem Gehäuse der Größe 5060 (5,0 mm x 6,0 mm) eine branchenführende Leistung im sicheren Betriebsbereich (SOA) erzielt. Dieses Produkt eignet sich ideal für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern mit 48-V-Stromversorgungen sowie für Stromversorgungen in Industrieanlagen, die einen Batterieschutz erfordern.

Kennzahlen: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202601142419/_prw_PI1fl_W374YeRf.jpg 

Die rasante Entwicklung und die weit verbreitete Einführung von KI-Technologie haben die Nachfrage nach stabilem Betrieb und verbesserter Energieeffizienz bei Servern erhöht, die mit generativer KI und leistungsstarken GPUs ausgestattet sind. Insbesondere Hot-Swap-Schaltungen erfordern Leistungs-MOSFETs mit einer hohen SOA-Toleranz, um Einschaltstrom und Überlastbedingungen sicher zu bewältigen und einen stabilen Betrieb zu gewährleisten. Darüber hinaus schreitet in Rechenzentren und KI-Servern vor dem Hintergrund der Energieeinsparung die Umstellung auf 48-V-Stromversorgungen voran, die eine überlegene Energieumwandlungseffizienz bieten. Dies erfordert die Konstruktion von Hochspannungs- und hocheffizienten Stromversorgungsschaltungen, die diesen Anforderungen gerecht werden.

Daher hat ROHM sein Angebot an 100-V-Leistungs-MOSFETs erweitert, die sich ideal für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern eignen, um den Marktanforderungen gerecht zu werden. Der neue RS7P200BM verfügt über ein kompaktes DFN5060-8S-Gehäuse (Größe 5060), das im Vergleich zum RY7P250BM im DFN8080-8S-Gehäuse, den ROHM im Mai 2025 auf den Markt gebracht hat, eine höhere Packungsdichte ermöglicht.

Das neue Produkt erreicht einen niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(on)) von 4,0 Milliohm (Bedingungen: VGS=10 V, ID=50 A, Ta=25 °C) und behält gleichzeitig einen breiten SOA von 7,5 A bei einer Impulsbreite von 10 ms und 25 A bei 1 ms unter Betriebsbedingungen von VDS=48 V bei. Dieses Gleichgewicht zwischen niedrigem Durchlasswiderstand und breitem SOA, das in der Regel einen Kompromiss darstellt, trägt dazu bei, die Wärmeentwicklung während des Betriebs zu unterdrücken, wodurch die Effizienz der Serverstromversorgung verbessert, die Kühllast reduziert und die Stromkosten gesenkt werden.

ROHM wird sein Angebot an Leistungsbauelementen für 48-V-Stromversorgungssysteme weiter ausbauen und damit zur Reduzierung von Leistungsverlusten und Kühlungslasten in Rechenzentren sowie zur Verbesserung der hohen Zuverlässigkeit und Energieeffizienz von Serversystemen beitragen.

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2025-11-25_news_mosfet&defaultGroupId=false 

Anwendungsbeispiele

- 48-V-System-KI-Server und Hot-Swap-Stromkreise für Rechenzentren

- 48-V-System-Stromversorgungen für Industrieanlagen (Gabelstapler, Elektrowerkzeuge, Roboter, Lüftermotoren usw.)

- Batteriebetriebene Industrieausrüstung wie beispielsweise fahrerlose Transportfahrzeuge (FTF)

- UPS, Notstromversorgungssysteme (Batterie-Backup-Einheiten)

Informationen zur Marke EcoMOS (TM): https://kyodonewsprwire.jp/attach/202601142419-O1-0zoLwEz6.pdf 

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202601142419-O2-49g606Xh.pdf 

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Offizielle Website: https://www.rohm.com/ 

 

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KYOTO, Japan, 14. Januar 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat zwei neue Motortreiber-ICs für gebürstete Gleichstrommotoren entwickelt, den BD60210FV (20 V, 2 Kanäle) und den BD64950EFJ (40 V, 1 Kanal), die für den Einsatz in Haushalts- und Bürogeräten wie Kühlschränken, Klimaanlagen, Druckern und Roboterstaubsaugern vorgesehen sind.

Kennzahlen: Produktmerkmale: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202512100752/_prw_PI1fl_0QTDeUrD.jpg 

In den letzten Jahren hat sich die Elektrifizierung von Verbraucher- und Industriegeräten – insbesondere von Haushaltsgeräten – beschleunigt, wodurch die Nachfrage nach energieeffizienten gebürsteten Gleichstrommotoren gestiegen ist. Gleichzeitig wird von Motortreibern erwartet, dass sie mehrere Anwendungen und Anwendungsfälle unterstützen und gleichzeitig die Anzahl und Größe externer Komponenten reduzieren.

Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, verfügen diese neuen Produkte über äußerst vielseitige Gehäuse, wodurch sie sich nicht nur für neue Plattformdesigns, sondern auch für Neukonstruktionen und Derivateprodukte eignen. Außerdem erreichen sie einen extrem niedrigen Standby-Strom (Typ: 0,0 Mikroampere, max: 1,0 Mikroampere), was erheblich zur Stromeinsparung im Standby-Betrieb beiträgt.

Der BD60210FV kann als Dual-H-Brücken-Motortreiber (2-Kanal) mit direkter PWM-Steuerung fungieren, der zwei gebürstete Gleichstrommotoren, einen bipolaren Schrittmotortreiber oder einen Solenoid-Treiber ansteuern kann. Die H-Brückenschaltung macht eine Boost-Schaltung überflüssig, wodurch externe Komponenten minimiert werden und das Design platzsparend und vereinfacht ist.

Der BD64950EFJ verfügt über eine einzelne H-Brücke (1 Kanal), die sowohl direkte PWM-Steuerung als auch Konstantstrom-PWM-Steuerung unterstützt. Sein niedriger Einschaltwiderstand reduziert die Wärmeentwicklung und ermöglicht einen effizienten Motorantrieb.

Beide Produkte befinden sich inzwischen in der Massenproduktion. Der Online-Verkauf hat ebenfalls begonnen und die Produkte können bei Online-Händlern wie DigiKey, MOUSER und Farnell erworben werden. Zur Unterstützung von Anwendungsentwicklung und Design sind auch Evaluierungsboards erhältlich.

Kennzahlen: Wichtigste Produktmerkmale: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202512100752-O1-UbI5pCl4.pdf 

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2025-12-17_news_motor&defaultGroupId=false 

Anwendungsbeispiele:

--Verbrauchergeräte: Kühlschränke (Eismaschinenrotation, Lüfter-ventilsteuerung), Klimaanlagen (Lamellensteuerung), Drucker (Wagenbewegung), Staubsaugerroboter (Bürstendrehung), Warmwasserbereiter und Reiskocher (Ventilsteuerung), Luftbefeuchter (Ventilatorsteuerung) usw.

--Industrielle Ausrüstung: Automatische Türen und Rollläden (Betriebssteuerung), kleine Förderanlagen (Transportsteuerung), Elektrowerkzeuge (Rotationssteuerung), andere kleine Motorsteuerungsanwendungen, usw.

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202512100752-O2-jtFGH802.pdf 

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202512100752/_prw_PI2fl_eye2CRM2.jpg 

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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KYOTO, Japan, 27. Oktober 2025 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat eine innovative Schottky-Barrierendiode (SBD) entwickelt, die den herkömmlichen Kompromiss zwischen VF und IR überwindet. Auf diese Weise bietet sie einen hochzuverlässigen Schutz für eine Vielzahl von Anwendungen mit hochauflösenden Bildsensoren, darunter ADAS-Kameras.

Kennzahlen: Produktmerkmale: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202510147042/_prw_PI1fl_7Y2b31Lo.jpg

Moderne ADAS-Kameras und ähnliche Systeme erfordern eine höhere Pixelanzahl, um den Anforderungen an eine höhere Präzision gerecht zu werden. Dies hat zu einer wachsenden Besorgnis geführt – dem Risiko von Schäden durch photovoltaische Spannung, die bei Lichteinwirkung im ausgeschalteten Zustand entsteht. Während SBDs mit niedrigem VF wirksame Gegenmaßnahmen sind, ist auch ein niedriger IR während des Betriebs unerlässlich, um ein thermisches Durchgehen zu verhindern. Die gleichzeitige Erreichung eines niedrigen VF und eines niedrigen IR war jedoch lange Zeit eine technische Herausforderung.

Die RBE01VYM6AFH basiert auf einem neuartigen Konzept: Sie nutzt die niedrigen VF-Eigenschaften von Gleichrichter-SBDs zu Schutzzwecken. Durch die Verwendung einer proprietären Architektur hat ROHM einen niedrigen IR erreicht, der mit Designs mit niedrigem VF normalerweise nur schwer zu realisieren ist. Selbst unter rauen Umgebungsbedingungen erfüllt das Gerät die Marktanforderungen mit einem VF von weniger als 300 mV (bei IF = 7,5 mA, selbst bei Ta = -40 °C) und einem IR von weniger als 20 mA (bei VR = 3 V, selbst bei Ta = 125 °C). Diese außergewöhnlichen Eigenschaften verhindern nicht nur Schäden an der Schaltung durch hohe photovoltaische Spannungen, die beim Ausschalten entstehen, sondern reduzieren auch das Risiko von thermischem Durchgehen und Fehlfunktionen während des Betriebs erheblich.

Kennzahlen: Leistungsvergleich: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202510147042/_prw_PI2fl_48d08411.jpg

Die Diode ist in einem kompakten SOD-323HE-Gehäuse untergebracht (2,5 mm x 1,4 mm / 0,098 Zoll x 0,055 Zoll), das sowohl Platzersparnis als auch hervorragende Montageeigenschaften bietet. Die RBE01VYM6AFH ist außerdem nach AEC-Q101 qualifiziert und eignet sich somit als Schutzvorrichtung für Automobilelektronik der nächsten Generation, die eine hohe Zuverlässigkeit und Langzeitstabilität erfordert.

Kennzahlen: Wichtigste Produktmerkmale: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202510147042/_prw_PI3fl_MO96x6p6.jpg

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2025-10-23_news_sbd&defaultGroupId=false

RBE01VYM6AFH: https://www.rohm.com/products/diodes/schottky-barrier-diodes/ultra-low-vf/rbe01vym6afh-product

Anwendungsbeispiele:
Mit Bildsensoren ausgestattete Geräte wie ADAS-Kameras, intelligente Gegensprechanlagen, Überwachungskameras, IoT-Geräte für den Heimgebrauch usw.

Informationen zum Online-Verkauf:
Verkaufsstart: Jetzt
Musterpreis: 1,0 USD/Stück (ohne MwSt)
Online-Händler: DigiKey, Mouser, Farnell, usw.

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202510147042-O1-MQWVeZRx.pdf

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202510147042/_prw_PI4fl_1O1E0ge1.jpg

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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