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EQS-Media / 23.06.2026 / 07:30 CET/CEST
MIT Lincoln Laboratory investiert in zwei 300-mm-Hyperion-Systeme von AIXTRON zur Förderung der Forschung an GaN und 2D-Materialien
Herzogenrath, 23. Juni 2026 – AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein führender Anbieter von Beschichtungsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute bekannt, dass das MIT Lincoln Laboratory im Rahmen einer Partnerschaft, die durch das Büro des Gouverneurs von Massachusetts und die Northeast Microelectronics Coalition (NEMC) ermöglicht wurde, zwei Hyperion-300-mm-Systeme erworben hat. Die Systeme unterstützen die Forschung in den Bereichen Galliumnitrid-(GaN)-Leistungselektronik, Hochfrequenzanwendungen sowie zweidimensionaler (2D) Materialien der nächsten Generation. Sie stehen Nutzern innerhalb und außerhalb des NEMC-Ökosystems zur Verfügung. Die beiden Hyperion-Systeme werden im Lincoln Laboratory des Massachusetts Institute of Technology (MIT) installiert und primär für die Bearbeitung von 200-mm-Wafern konfiguriert. Gleichzeitig bleibt die volle Prozessfähigkeit für Substrate bis zu 300 mm erhalten. Diese Flexibilität ermöglicht es den Forschern, mit verschiedenen Wafergrößen zu arbeiten und den Übergang vielversprechender Materialien und Bauelementkonzepte in eine Serienproduktion zu unterstützen. Ein Hyperion-System wird für die Entwicklung von GaN-Leistungs- und HF-Bauelementen eingesetzt, einschließlich der Erforschung neuartiger Barrierestrukturen und fortschrittlicher Materialkonzepte für Hochleistungsbauelemente der nächsten Generation. Das zweite System wird der Forschung an 2D-Materialien gewidmet, wobei Transistoren der nächsten Generation und „Remote-Epitaxie“ zu den Zielanwendungen gehören. „Wir freuen uns sehr, unsere Partnerschaft mit dem MIT weiter auszubauen. Dieser Meilenstein stellt einen weiteren wichtigen Schritt für die Technologie von AIXTRON sowie für die umfassendere Integration von GaN- und 2D-Materialien in siliziumbasierte Fertigungsumgebungen dar“, sagte Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON. „Die Hyperion-300-mm-Plattform kombiniert skalierbare Waferkapazität mit hoher Prozessflexibilität und eignet sich damit hervorragend für die Spitzenforschung des MIT Lincoln Laboratory in zwei der vielversprechendsten Bereiche der modernen Mikroelektronik. Ihre Vielseitigkeit unterstützt die Entwicklung von Materialien der nächsten Generation und ebnet den Weg von der Forschung zur zukünftigen industriellen Anwendung.“ Dieses Projekt baut auf dem Engagement des Bundesstaates Massachusetts auf, die heimische Halbleiterinnovation im Bereich der Halbleitertechnik durch den NEMC Hub zu stärken. Das SCALE Capital Program der NEMC unterstützt gezielte Investitionen in strategische Anlagen an führenden Forschungseinrichtungen. Es wird durch Mittel der Healey-Driscoll-Administration sowie des NEMC-Hub finanziert und soll Fortschritte in der Mikroelektronik beschleunigen sowie die Zusammenarbeit zwischen Wissenschaft, Staat und Industrie stärken. Ansprechpartner Über AIXTRON Unsere eingetragenen Marken: AIXACT®, AIX-Multi-Ject®, AIXTRON®, Close Coupled Showerhead®, EXP®, EPISON®, Gas Foil Rotation®, HXP®, HYPERION®, Multi-Ject®, OVPD®, Planetary Reactor®, PVPD®, STExS®, TriJet®. Weitere Informationen zu AIXTRON (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) finden Sie auf unserer Website unter: www.aixtron.com.
Ende der Pressemitteilung Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
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